1，可以在工作的时候用一个红红外线测温枪，检测工作的每组可控硅的温度，如果有软击穿的可控硅，它的温差会很大，就是所谓的电力不平衡。2，有时功率开大了，就如阳极A 接黑表笔，阴极K 接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测用万用表电阻Rx1Ω 档，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3、双向可控硅的检测：用万用表电阻R*1Ω档，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果1、电压击穿，可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见，其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
╯﹏╰ 如阳极a接黑表笔，阴极k接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测用万用表电阻r*1ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极A1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻(体电阻)为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。先确定主电极A2
1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接
